IXTA20N65X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 20А, Idm: 22А, 290Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 500 ֏
от 3 шт. —
5 700 ֏
от 10 шт. —
4 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 500 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 20А, Idm: 22А, 290Вт, D2PAK
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Drain current | 20A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Gate charge | 27nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.185Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 290W |
| Pulsed drain current | 22A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.5 |
