IXTP14N60X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 18А, 180Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 600 ֏
от 3 шт. —
4 890 ֏
от 10 шт. —
3 820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 18А, 180Вт, TO220AB
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 14A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 16.7nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.25Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 180W |
| Pulsed drain current | 18A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2.04 |
