IXTP130N15X4, Транзистор N-MOSFET, 150В, 130А, 400Вт, TO220-3, 93нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 700 ֏
от 3 шт. —
6 800 ֏
от 10 шт. —
5 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 700 ֏
Описание
МОП-транзистор MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 130 A |
Pd - рассеивание мощности | 400 W |
Qg - заряд затвора | 87 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 27 ns |
Время спада | 10 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 100 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 242 КБ