APT45GP120B2DQ2G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 54А; 625Вт; T-Max
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 000 ֏
от 3 шт. —
30 500 ֏
от 10 шт. —
26 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | T-Max |
| Collector current | 54A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 185nC |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 625W |
| Pulsed collector current | 170A |
| Technology | POWER MOS 7®, PT |
| Turn-off time | 230ns |
| Turn-on time | 47ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.83 |
