AC857BQ-7, TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
![AC857BQ-7, TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514323.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
от 500 шт. —
27 ֏
от 3000 шт. —
24 ֏
30 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AC857BQ-7
pdf, 379 КБ