DTD113ZUT106, 82@50mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW 500mA 50V 500nA SOT-323-3 Digital Transistors ROHS
![DTD113ZUT106, 82@50mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW 500mA 50V 500nA SOT-323-3 Digital Transistors ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/520/DOC006520268.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1535 шт., срок 8-10 недель
119 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
97 ֏
от 150 шт. —
84 ֏
от 500 шт. —
75 ֏
10 шт.
на сумму 1 190 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 500MA
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.8 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | DTD113ZU |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DTD113ZU |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 10 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Ширина | 1.25 mm |
Техническая документация
Datasheet DTD113ZUT106
pdf, 1046 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг