SSM3J331R,LF, 20V 4A 1W 55m ё@3A,4.5V 1V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

SSM3J331R,LF, 20V 4A 1W 55m ё@3A,4.5V 1V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4565 шт., срок 8-10 недель
119 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
10 шт. на сумму 1 190 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8010699659
Бренд: Toshiba

Описание

P-канал 20V 4A (Ta) 1W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23F

Технические параметры

Base Product Number TC62D748 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-23-3 Flat Leads
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V
RoHS Status RoHS Compliant
Series U-MOSVI ->
Supplier Device Package SOT-23F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 246 КБ
Datasheet SSM3J331R,LF
pdf, 236 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг