BSC190N15NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 140 ֏
от 2 шт. —
3 600 ֏
от 5 шт. —
3 250 ֏
от 10 шт. —
3 070 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 140 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 150V, 50A, PG-TDSON- 8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:150V, On Resistance Rds(on):0.016ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.016Ом |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.016Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.194 |
Техническая документация
Datasheet BSC190N15NS3GATMA1
pdf, 567 КБ
