AO3402A, Package/EnclosureSOT-23 fet typeN-Channel Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs12V Drain-source voltage Vds30V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

90000 шт., срок 8-10 недель

22 ֏

Кратность заказа 3000 шт.

3000 шт. на сумму 66 000 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8010816580

30V 4A 55mR@10V, 4A 350mW 1.4V@250?A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS V(BR)DSS=30V ID=4A аналог:AO3402A, UMWAO3402A

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	52 мОм/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.35
Крутизна характеристики, S	8
Корпус	SOT-23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	4A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	350mW
Rds On - Drain-Source Resistance	55mО© @ 4A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30V
Vgs - Gate-Source Voltage	1.4V @ 250uA
кол-во в упаковке	3000
Continuous Drain Current (Id)	4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	55mΩ@10V, 4A
Drain Source Voltage (Vdss)	30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1.4V@250uA
Power Dissipation (Pd)	350mW
Type	1PCSNChannel
Вес, г	0.05