Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › Diodes Inc BCX55TA NPN Transistor, 1 A, 60 V ...

Diodes Inc BCX55TA NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3-Pin SOT-89

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 ֏

Кратность заказа 50 шт.

50 шт. на сумму 5 500 ֏

Номенклатурный номер: 8010887568

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage	60 V
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	150 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum DC Current Gain	40
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-89
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 5 mA, 2 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BCX55
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	NPN
Product Category	Bipolar Power
Material	Si
Configuration	Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)	60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	60
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)	1
Maximum Power Dissipation (mW)	2000
Maximum Transition Frequency (MHz)	150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Supplier Temperature Grade	Automotive
Packaging	Tape and Reel
Automotive	No
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-89
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	1.5
Package Length	4.5
Package Width	2.5
PCB changed	3
Tab	Tab
Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
DC Collector/Base Gain Hfe Min	25 at 5 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product FT	150 MHz
Manufacturer	Diodes Incorporated
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-89-3
Pd - Power Dissipation	1000 mW
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	BCX55
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Вес, г	8