IPP60R180P7XKSA1, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 800 ֏
1 шт.
на сумму 8 800 ֏
Описание
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Pd - рассеивание мощности | 72 W |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 12 ns |
| Время спада | 8 ns |
| Другие названия товара № | IPP60R180P7 SP001606038 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.18 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | 600V CoolMOS P7 |
| Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet IPP60R180P7XKSA1
pdf, 1636 КБ
Datasheet IPP60R180P7XKSA1
pdf, 1578 КБ
