BSP92PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -250В, -260мА, 1,8Вт, PG-SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
423 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы
Описание Полевой транзистор BSP92PH6327XTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET, разработанный для применения в современной электронике. Данный компонент обеспечивает ток стока до 0,26 А и может работать при напряжении сток-исток до 250 В. Он характеризуется мощностью 1,8 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 12 Ом, что делает его эффективным в управлении электрическими нагрузками. Монтаж этого транзистора осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD), а благодаря корпусу PG-SOT223 он легко интегрируется в различные электронные схемы. Выбирая BSP92PH6327XTSA1 для своих проектов, вы получаете надежный компонент от признанного лидера в области полупроводниковых технологий. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.26 |
| Напряжение сток-исток, В | 250 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 12 |
| Корпус | PG-SOT223 |
Технические параметры
| Корпус | PG-SOT223 | |
| Вид | N-MOSFET | |
| Монтаж | SMD | |
| Мощность, Вт | 1.8 | |
| Напряжение сток-исток, В | 250 | |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 12 | |
| Тип | полевой | |
| Ток стока, А | 0.26 | |
| Base Product Number | BSP92PH6327 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 260mA (Ta) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | P-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 104pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 260mA, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | SIPMOSВ® -> | |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130ВµA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 260 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V | |
| Width | 3.5mm | |
| Вес, г | 0.01 |
