Diodes Inc BC847PN-7-F Dual NPN/PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
![Фото 1/4 Diodes Inc BC847PN-7-F Dual NPN/PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639400.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/903/DOC043903665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/534/DOC021534294.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/884/DOC011884195.jpg)
260 ֏
Кратность заказа 100 шт.
100 шт.
на сумму 26 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание Транзистор биполярный NPN BC847PN-7-F от DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT363. С током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 45 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 0,2 Вт. Эти характеристики делают его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств в различных областях применения, где требуется надежность и эффективность. Используя BC847PN7F в вашем следующем проекте, вы получаете гарантию качества от известного производителя DIODES INCORPORATED, а также высокую производительность и долговечность компонента. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 0.1 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
Мощность, Вт | 0.2 |
Корпус | SOT363 |
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum DC Current Gain | 200, 220 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-363(SC-88) |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Type | NPN/PNP |
Collector Emitter Voltage Max | 45В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 290hFE |
DC Усиление Тока hFE | 290hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN, PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 300МГц |
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
Configuration: | Dual |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BC847P |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN, PNP |
Вес, г | 1 |