Diodes Inc DNLS350E-13 NPN Low Saturation Bipolar Transistor, 3 A, 50 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
![Фото 1/3 Diodes Inc DNLS350E-13 NPN Low Saturation Bipolar Transistor, 3 A, 50 V, 3 + Tab-Pin SOT-223](https://static.chipdip.ru/lib/640/DOC021640648.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
128 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 6 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Биполярные транзисторы - BJT NPN 1W
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 6.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 290 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | DNLS350 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.5 mm |
Вес, г | 12 |