IRFIB7N50A
![Фото 1/9 IRFIB7N50A](https://static.chipdip.ru/lib/625/DOC044625337.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/168/DOC004168096.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514979.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/594/DOC008594031.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC012151638.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/725/DOC017725080.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/958/DOC033958384.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/077/DOC036077188.jpg)
2 140 ֏
от 2 шт. —
1 690 ֏
от 5 шт. —
1 360 ֏
от 7 шт. —
1 280 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 140 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 6,6А, Idm: 44А, 60Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.6A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 60W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 4A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFIB |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Base Product Number | IRFIB7 -> |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Tube |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Крутизна характеристики S,А/В | 6.1 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 520 |
Температура, С | -55…+150 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.6 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 520 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220FP |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 28 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 52(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 52(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1423 25V |
Typical Rise Time (ns) | 35 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 520 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 60 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | TO-220FP |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
Вес, г | 2.94 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 143 КБ
Datasheet
pdf, 143 КБ
Datasheet IRFIB7N50APBF
pdf, 194 КБ
Datasheet IRFIB7N50APBF
pdf, 149 КБ
Документация
pdf, 147 КБ