N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P
![Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770964.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
20 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 100В, 170А, 715Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 170 A |
Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 714 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 198 nC @ 10 V |
Width | 5.3mm |
Вес, г | 193.5 |