FP50R07N2E4BPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
131 000 ֏
от 10 шт. —
104 000 ֏
1 шт.
на сумму 131 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 70А |
| DC Ток Коллектора | 70А |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FP50R07N2E4BPSA1
pdf, 740 КБ
