FS75R06KE3BPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
149 000 ֏
от 10 шт. —
120 000 ֏
от 30 шт. —
111 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 149 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 75А |
| DC Ток Коллектора | 75А |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack |
| Линейка Продукции | EconoPACK |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
| Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FS75R06KE3BPSA1
pdf, 509 КБ
