FS75R12KE3BPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 000 ֏
от 10 шт. —
148 000 ֏
от 30 шт. —
141 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The Infineon EconoPACK 2 1200 V, 75 A six-pack IGBT module with IGBT3 and NTC. Optimized customer’s development cycle time and cost.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 105А |
| DC Ток Коллектора | 105А |
| Power Dissipation | 350Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | EconoPACK 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 350Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 350 W |
| Package Type | AG-ECONO2B-311 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 189 КБ
