FP50R12KT4BPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
156 000 ֏
1 шт.
на сумму 156 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 50 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 50А |
| DC Ток Коллектора | 50А |
| Power Dissipation | 280Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 280Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Package Type | AG-ECONO2B-411 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FP50R12KT4BPSA1
pdf, 639 КБ
