SSM6J412TU,LF, MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427ohm a. 4.5V, in UF6 package
3097 шт., срок 6-9 недель
436 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 436 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
P-Channel 20V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Технические параметры
| Base Product Number | TLP3553 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42.7mOhm @ 3A, 4.5V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | U-MOSVI -> |
| Supplier Device Package | UF6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet SSM6J412TU,LF
pdf, 224 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
