RFN5BM2STL, Rectifiers 200V Vrm 5A Io Std Fast Rec Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2212 шт., срок 7-9 недель
1 410 ֏
от 10 шт. —
1 020 ֏
от 100 шт. —
780 ֏
от 500 шт. —
630 ֏
1 шт.
на сумму 1 410 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Rectifiers
RFN5BM2S is the silicon epitaxial planar type Fast Recovery Diode. Low switching loss Low forward voltageundefined
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Maximum Continuous Forward Current | 5A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 980mV |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SC-63, TO-252 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 40A |
| Peak Reverse Recovery Time | 25ns |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 200V |
| Pin Count | 2+Tab |
| Rectifier Type | Fast Recovery |
| Average Forward Current | 5А |
| Forward Surge Current | 40А |
| Forward Voltage Max | 980мВ |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 200В |
| Reverse Recovery Time | 25нс |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
