FP50R12KT4B11BPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

135 000 ֏

от 10 шт. — 112 000 ֏

от 30 шт. — 108 000 ֏

1 шт. на сумму 135 000 ֏

Номенклатурный номер: 8012194836

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

SP005422424, FP50R12KT4_B11

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	50А
DC Ток Коллектора	50А
Power Dissipation	280Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Максимальная Температура Перехода Tj	150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	280Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	280 W
Package Type	AG-ECONO2B-411
Вес, г	1