BSP129H6327XTSA1, SOT-223
![Фото 1/4 BSP129H6327XTSA1, SOT-223](https://static.chipdip.ru/lib/779/DOC015779972.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/775/DOC043775389.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181996.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/439/DOC034439910.jpg)
710 ֏
Кратность заказа 2 шт.
от 30 шт. —
580 ֏
от 120 шт. —
510 ֏
2 шт.
на сумму 1 420 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор полевой BSP129H6327XTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа SMD. Благодаря тщательно проработанной конструкции, транзистор обладает током стока 0,05 А и напряжением сток-исток 240 В, что гарантирует его надежную работу в широком диапазоне электронных применений. С номинальной мощностью в 1,8 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 6,5 Ом, устройство обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Корпус PG-SOT223 гарантирует удобство в интеграции на печатную плату и оптимальное отведение тепла. Используйте BSP129H6327XTSA1 для повышения производительности ваших электронных схем. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 0.05 |
Напряжение сток-исток, В | 240 |
Мощность, Вт | 1.8 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 6.5 |
Корпус | PG-SOT223 |
Технические параметры
Корпус | SOT-223-3 | |
Base Product Number | BSP129 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 350mA (Ta) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Feature | Depletion Mode | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 108pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | SIPMOSВ® -> | |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 108ВµA | |
Brand | Infineon Technologies | |
Channel Mode | Depletion | |
Configuration | 1 N-Channel | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 35 ns | |
Forward Transconductance - Min | 180 mS | |
Height | 1.6 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 350 mA | |
Length | 6.5 mm | |
Manufacturer | Infineon | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Packaging | Reel | |
Part # Aliases | BSP129 H6327 SP001058580 | |
Pd - Power Dissipation | 1.8 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 5.7 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.2 Ohms | |
Rise Time | 4.1 ns | |
RoHS | Details | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 4.4 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 240 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.1 V | |
Width | 3.5 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 350 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 20 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 240 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Maximum Power Dissipation | 1.8 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-223 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 3.8 nC @ 5 V | |
Вес, г | 0.048 |