N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRLR014TRPBF
![Фото 1/4 N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRLR014TRPBF](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236152.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172283.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
369 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 3 690 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TR
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 25 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
Width | 6.22mm |
Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.38 mm |
Длина | 6.73 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Drain Source On State Resistance | 0.2Ом |
Power Dissipation | 2.5Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 7.7А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 3 |