BC856B-13-F, TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
![Фото 1/2 BC856B-13-F, TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC012792584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
36 ֏
от 500 шт. —
30 ֏
от 1000 шт. —
27 ֏
30 шт.
на сумму 1 320 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO
Технические параметры
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | -80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -65 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -650 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | -100 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 220 |
DC Current Gain HFE Max | 475 |
Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
Factory Pack Quantity | 10000 |
Gain Bandwidth Product FT | 200 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | BC856B |
Subcategory | Transistors |
Technology | Si |
Transistor Polarity | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | BC856B |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 293 КБ