IKW15N120BH6XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 050 ֏
Мин. кол-во для заказа 80 шт.
от 257 шт. —
1 920 ֏
от 673 шт. —
1 760 ֏
Добавить в корзину 80 шт.
на сумму 164 000 ֏
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Описание Транзистор IGBT, 1,2кВ, 15А, 100Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 25 V, ±20 V |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
| Gate Charge | 92nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 340ns |
| Series | TrenchStopв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Switching Energy | 700ВµJ(on), 550ВµJ(off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 18ns/240ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 22 Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKW15N120BH6XKSA1
pdf, 2137 КБ
