VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2800 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
269 ֏
от 100 шт. —
102 ֏
1 шт.
на сумму 269 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 5.2A | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 27W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 3.2A,10V | |
| Transistor Polarity | P Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA | |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 3.2A | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| Power Dissipation (Pd) | 27W | |
| Type | 1PCSPChannel | |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet VB2658
pdf, 1147 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 5 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 8 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
