SIRA14DP-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
273 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
256 ֏
от 9000 шт. —
247 ֏
3000 шт.
на сумму 819 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 58 A |
Pd - рассеивание мощности | 31.2 W |
Qg - заряд затвора | 29 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.25 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 8 ns |
Время спада | 8 ns |
Высота | 1.04 mm |
Длина | 6.15 mm |
Другие названия товара № | SIRA14DP-GE3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SIR |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 18 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
Ширина | 5.15 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 31.2 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PowerPAK SO-8 |
Pin Count | 8 |
Series | TrenchFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
Width | 5.26mm |