MMBT3906FA-7B, Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
88 ֏
Кратность заказа 10000 шт.
10000 шт.
на сумму 880 000 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 435 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | MMBT39 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBT3906FA-7B
pdf, 127 КБ
