IXFH6N120, MOSFETs 6 Amps 1200V 2.4 Rds
![Фото 1/2 IXFH6N120, MOSFETs 6 Amps 1200V 2.4 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769642.jpg)
13 900 ֏
от 10 шт. —
11 600 ֏
от 30 шт. —
10 700 ֏
от 60 шт. —
10 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 900 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 6А, 300Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 6A |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Gate charge | 56nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 300W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IXFH6N120
pdf, 137 КБ