SSM6K504NU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 1,25Вт; uDFN6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1675 шт., срок 7 недель
240 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | uDFN6 |
| Drain current | 9A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate charge | 4.8nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 26mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.25W |
| Pulsed drain current | 18A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.03 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
