TBC847B.LM

TBC847B.LM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8555 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
22 ֏
Мин. кол-во для заказа 696 шт.
696 шт. на сумму 15 312 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8013766359
Бренд: Toshiba

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор биполярный TO236

Технические параметры

Корпус to236
кол-во в упаковке 1
Base Product Number CUS10 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 320mW
RoHS Status RoHS Compliant
Supplier Device Package SOT-23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Brand Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 170 mV
Configuration Single
Continuous Collector Current 150 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 200 at 2 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max 450 at 2 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Manufacturer Toshiba
Maximum DC Collector Current 150 mA
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 320 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series TBC8X7
Technology Si
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.000282 oz
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet TBC847B,LM
pdf, 188 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 5 августа1 бесплатно
HayPost 8 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг