TN2124K1-G, MOSFET Transistor - DMOS - N Channel - 134 mA - 240 V - 15 ohm - 4.5 V - 2 V.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
484 ֏
3000 шт.
на сумму 1 590 000 ֏
Описание
Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet
The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 15Ом |
| Power Dissipation | 360мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 240В |
| Непрерывный Ток Стока | 134мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 360мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 15Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Drain Source Voltage | 240 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | SOT-23 |
Техническая документация
Datasheet TN2124K1-G
pdf, 1392 КБ
