IKW40N65ES5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 50А, 115Вт, TO247-3
![Фото 1/2 IKW40N65ES5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 50А, 115Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/037/DOC045037982.jpg)
7 200 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
5 200 ֏
от 100 шт. —
4 280 ֏
от 200 шт. —
3 680 ֏
5 шт.
на сумму 36 000 ֏
Описание
IKW40N65ES5, SP001319680
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 79А |
Power Dissipation | 230Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP(TM)5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 79 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 230 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Вес, г | 6.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1916 КБ
Datasheet IKW40N65ES5
pdf, 1919 КБ