IR2113STRPBF, MOSFET 2, 2.5 A, 20V 16-Pin, SOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 830 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 1 830 000 ֏
Описание
Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2 Характеристики | Категория | Микросхема |
Технические параметры
| High and Low Sides Dependency | Independent |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Number of Outputs | 2 |
| Output Current | 2.5 A |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 16 |
| Polarity | Non-Inverting |
| Supply Voltage | 20V |
| Topology | High and Low Side |
| Максимальная рабочая температура | +125 °C |
| Топология | Верхняя и нижняя сторона |
| Длина | 10.5мм |
| Количество выходов | 2 |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 10 V |
| Производитель | Infineon |
| Полярность | Неинвертирующий |
| Логическая совместимость входного сигнала | CMOS, LSTTL |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 7.6мм |
| Высота | 2.35мм |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 20 V |
| Число контактов | 16 |
| Размеры | 10.5 x 7.6 x 2.35мм |
| Зависимость стороны высокого и низкого давления | Независимый |
| Пиковый выходной ток | 2.5 |
| Количество драйверов | 2 |
| Brand | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 25 ns |
| Features | Independent |
| Logic Type | CMOS, TTL |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Maximum Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Maximum Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Moisture Sensitive | Yes |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Supply Current | 340 uA |
| Output Voltage | 10 V to 20 V |
| Package / Case | SOIC-16 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | SP001543856 |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Product | MOSFET Gate Drivers |
| Product Category | Gate Drivers |
| Product Type | Gate Drivers |
| Propagation Delay - Max | 150 ns |
| Rise Time | 35 ns |
| Subcategory | PMIC-Power Management ICs |
| Supply Voltage - Max | 25 V |
| Supply Voltage - Min | 10 V |
| Technology | Si |
| Type | High Side, Low Side |
| Driven Configuration | Half Bridge |
| Load Type | IGBT;MOSFET |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Peak Output Current(sink) | 2A |
| Peak Output Current(source) | 2A |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 3 |
| Вес брутто | 1.04 |
| Выходной ток | 2.5 А |
| Диапазон рабочих температур | -40…+125 °С |
| Количество | каналов-2 |
| Мощность | рассеиваемая(max)-1.25 Вт |
| Напряжение | питания 10…20В |
| Описание | High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver |
| Тип | Совмещёный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT |
| Тип выхода | CMOS, TTL |
| Ток | источника питания(рабочий)-340 uA |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 54*44*45/2000 |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
Техническая документация
Datasheet IR2110(-1-2)(S)PbF IR2113(-1-2)(S)
pdf, 328 КБ
