N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK TK11P65W,RQ(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 8 недель
840 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 4 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 440 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | DTMOSIV |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Width | 6.1mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
