N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXFH80N25X3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 200 ֏
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 396 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 80А, 390Вт, TO247-3, 120нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 390 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 83 @ 10 V nC |
| Width | 5.3mm |
| Вес, г | 1 |
