NUF2114MNT1G, Quad-Element Bi-Directional ESD Protection Diode, 0.36W, 8-Pin DFN8

Фото 1/4 NUF2114MNT1G, Quad-Element Bi-Directional ESD Protection Diode, 0.36W, 8-Pin DFN8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
489 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 1 467 000 ֏
Номенклатурный номер: 8014483748

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\TVS Diodes
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения PWR MICRO 2 LINE AUDO FTR

Технические параметры

Capacitance 66pF
Diode Configuration Array
Direction Type Bi-Directional
ESD Protection Yes
Maximum Operating Temperature +85 °C
Maximum Reverse Leakage Current 100nA
Maximum Reverse Stand-off Voltage 12V
Minimum Breakdown Voltage 13.7V
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 4
Package Type DFN8
Peak Pulse Power Dissipation 0.36W
Pin Count 8
Test Current 1mA
Width 2mm
Cd - емкость диода 66 pF
Pd - рассеивание мощности 360 mW
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте 30 kV
Категория продукта Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с
Количество каналов 2 Channel
Максимальная рабочая температура + 85 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение пробоя 13.7 V
Подкатегория TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Полярность Bidirectional
Рабочее напряжение 12 V
Размер фабричной упаковки 3000
Серия NUF2114
Тип выводов SMD/SMT
Тип продукта ESD Suppressors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок DFN-8
Automotive No
Configuration Dual
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape No Lead
Maximum Working Voltage (V) 12
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
PPAP No
Standard Package Name DFN
Supplier Package DFN EP
Type Diode Array
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 189 КБ
Datasheet NUF2114MNT1G
pdf, 122 КБ