IGB10N60TATMA1 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 850 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
