IHW30N135R3FKSA1 IGBT, 30 A 1350 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 000 ֏
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 180 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Gate Capacitance | 2066pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1350 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 349 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IHW30N135R3FKSA1
pdf, 2045 КБ
