N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN TK20J60W,S1VQ(O
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
325 шт., срок 8 недель
8 200 ֏
Кратность заказа 25 шт.
25 шт.
на сумму 205 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 155 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 165 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PN |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Width | 4.5mm |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TK20J60W,S1VE
pdf, 242 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
