FP35R12W2T4B11BOMA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 54 A 1200 V, 35-Pin EASY2B, PCB Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
67 800 ֏
Кратность заказа 15 шт.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 1 017 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 54 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 215 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Package Type | EASY2B |
| Pin Count | 35 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FP35R12W2T4B11BOMA1
pdf, 640 КБ
Datasheet FS25R12W1T4B11BOMA1
pdf, 208 КБ
