N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V, 8-Pin TSON TPN14006NH,L1Q(M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1850 шт., срок 7 недель
980 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 9 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Switching Voltage Regulators Motor Drivers DC-DC Converters High-speed switching Small gate charge: QSW = 5.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSON |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Width | 3.1mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
