MOSFET SI7997DP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 070 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 15 350 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay SI7997DP is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 308 КБ
