N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB22N60EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 290 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 164 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode. Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 182 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 179 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 135 КБ
