93C66C-I/P, 4kbit EEPROM Memory Chip, 200ns 8-Pin DIP Serial-Microwire
![Фото 1/4 93C66C-I/P, 4kbit EEPROM Memory Chip, 200ns 8-Pin DIP Serial-Microwire](https://static.chipdip.ru/lib/748/DOC043748441.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/664/DOC024664967.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515017.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/645/DOC043645960.jpg)
720 ֏
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 18 000 ֏
Описание
Semiconductors\Memory Chips\EEPROM
Описание Память EEPROM, Microwire, 512x8/256x16бит, 4,5-5,5В, 3МГц, DIP8 Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | EEPROM |
Технические параметры
Data Retention | 200yr |
Interface Type | Serial-Microwire |
Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
Maximum Operating Temperature | +85 °C |
Maximum Random Access Time | 200ns |
Memory Size | 4kbit |
Minimum Operating Supply Voltage | 4.5 V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Bits per Word | 16bit |
Number of Words | 256 |
Organisation | 256x16 bit |
Package Type | DIP |
Pin Count | 8 |
Programming Voltage | 4.5 → 5.5V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время доступа | 200 ns |
Высота | 3.3 mm |
Длина | 9.27 mm |
Категория продукта | EEPROM |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Максимальная тактовая частота | 3 MHz |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение питания - макс. | 2 mA, 5.5 V |
Напряжение питания - мин. | 4.5 V |
Организация | 512 x 8/256 x 16 |
Подкатегория | Memory Data Storage |
Рабочее напряжение питания | 4.5 V to 5.5 V |
Рабочий ток источника питания | 500 uA, 100 uA |
Размер памяти | 4 kbit |
Размер фабричной упаковки | 60 |
Сохранение данных | 200 Year |
Тип интерфейса | 3-Wire, Microwire |
Тип продукта | EEPROM |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | PDIP-8 |
Ширина | 6.35 mm |