Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-220SIS TK090A65Z,S4X(S
![Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-220SIS TK090A65Z,S4X(S](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC024769031.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 шт., срок 8 недель
12 000 ֏
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 24 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.09 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220SIS |
Pin Count | 3 |
Series | TK090A65Z |
Transistor Material | Silicon |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 411 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг