Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 TK090Z65Z,S1F(O
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт., срок 7 недель
13 300 ֏
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 332 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.09 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Series | TK090Z65Z |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 412 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
