Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 TK090Z65Z,S1F(O
![Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 TK090Z65Z,S1F(O](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC024769039.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 шт., срок 7 недель
23 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 400 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.09 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247-4 |
Pin Count | 4 |
Series | TK090Z65Z |
Transistor Material | Silicon |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 412 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг